STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 17 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Altezza: 2.4mm, MPN: STD17NF03LT4.STMicroelectronics MOSFET, canale N, 60 mΩ, 17 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.