STMicroelectronics MOSFET, canale N, 290 mΩ, 12 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 290 mΩ, 12 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 90 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Tensione diretta del diodo: 1.6V, MPN: STB18N60DM2.