onsemi MOSFET, canale N, 65 mΩ, 46 A, TO-247, Su foro
onsemi MOSFET, canale N, 65 mΩ, 46 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 337 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.