onsemi MOSFET, canale N, 160 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale
8V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.onsemi MOSFET, canale N, 160 mΩ, 1,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.92mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NDS351AN.