Microchip MOSFET, canale N, 10 Ω, 230 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale
Microchip MOSFET, canale N, 10 Ω, 230 mA, TO-243AA, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 350 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 3.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: DN3535N8-G.5V, Dissipazione di potenza massima: 1,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 4.