onsemi MOSFET, canale N, P, 150 mΩ, 220 mΩ, 2 A, 2,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale
onsemi MOSFET, canale N, P, 150 mΩ, 220 mΩ, 2 A, 2,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 6, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 960 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -25 V, -16 V, +16 V, +25 V, Lunghezza: 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDC6333C.