onsemi MOSFET, canale N, 8,8 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
onsemi MOSFET, canale N, 8,8 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 75 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.