IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 60 A, TO-247, Su foro
26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH60N50P3.IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 60 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 1,04 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.