STMicroelectronics MOSFET, canale N, 330 mΩ, 17,5 A, TO-220, Su foro
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 330 mΩ, 17,5 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 950 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP20N95K5.