Nexperia MOSFET, canale N, 1,8 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro
3mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: PSMN1R8-30PL,127.3V, Dissipazione di potenza massima: 270 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.Nexperia MOSFET, canale N, 1,8 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.15V, Tensione di soglia gate minima: 1.