Vishay MOSFET, canale P, 3 Ω, 2,7 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
Vishay MOSFET, canale P, 3 Ω, 2,7 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 250 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 50 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 2.73mm, MPN: IRFR9214TRPBF.38mm, Lunghezza: 6.