IXYS MOSFET, canale N, 96 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro
24mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTH34N65X2.IXYS MOSFET, canale N, 96 mΩ, 34 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 540 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.