Toshiba MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 65 A 40 V, 3 broches
Toshiba MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 65 A 40 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 107 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 6.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: TK65S04N1L.