onsemi MOSFET FDS4435BZ, VDSS 30 V, ID 8,8 A, SOIC de 8 pines,, config.
Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 20 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C onsemi MOSFET FDS4435BZ, VDSS 30 V, ID 8,8 A, SOIC de 8 pines,, config. Simple.