Infineon MOSFET IPW60R099CPFKSA1, VDSS 650 V, ID 31 A, TO-247 de 3 pines,, config.
5V, Disipación de Potencia Máxima: 255 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 16.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 99 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.13mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C Infineon MOSFET IPW60R099CPFKSA1, VDSS 650 V, ID 31 A, TO-247 de 3 pines,, config.