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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
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Vishay E SIHP690N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 4 A, 6,4 A, 3-Pin TO-220AB

About The : 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1.Vishay E SIHP690N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 4 A, 6,4 A, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max

Vishay E SIHP690N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 4 A, 6,4 A, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 0,7 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1

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Vishay E SIHP690N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 4 A, 6,4 A, 3-Pin TO-220AB

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Specifications of Vishay E SIHP690N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 4 A, 6,4 A, 3-Pin TO-220AB

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Vishay E SIHP690N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 4 A, 6,4 A, 3-Pin TO-220AB
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Vishay TrenchFET® Gen IV Si4425FDY-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 18,3 A, 8-Pin SO-8
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    • Phoenix Contact UCT-TM 16 YE Kennzeichnungsetikett

    Phoenix Contact UCT-TM 16 YE Kennzeichnungsetikett

    Phoenix Contact UCT-TM 16 YE Kennzeichnungsetikett, MPN: 0829147.

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  • Steckverbinder
  • Anschlussklemmenblöcke
  • Klemmblock Zubehör
  • Phoenix Contact
    • RS PRO NiCd D Akkupack, 10-Zellen D 6V / 8Ah

    RS PRO NiCd D Akkupack, 10-Zellen D 6V / 8Ah

    RS PRO NiCd D Akkupack, 10-Zellen D 6V / 8Ah.

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  • RS PRO
    • Vishay E SiHA690N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 2,7 A, 4,3 A., 3-Pin TO-220 FP

    Vishay E SiHA690N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 2,7 A, 4,3 A., 3-Pin TO-220 FP

    Vishay E SiHA690N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 2,7 A, 4,3 A.: 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1., 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.

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  • MOSFET
  • Vishay
    • TE Connectivity AMPMODU Buchse Schwarz Steckbrücke 2-polig, Raster 2.54mm, Länge 5.08mm, Oben offen

    TE Connectivity AMPMODU Buchse Schwarz Steckbrücke 2-polig, Raster 2.54mm, Länge 5.08mm, Oben offen

    35mm, Kontaktmaterial: Phosphor Bronze, Kontaktbeschichtung: Nickel verzinnt, Ausrichtung: Gerade, MPN: 2-382811-1.TE Connectivity AMPMODU Buchse Schwarz Steckbrücke 2-polig, Raster 2.

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  • Steckverbinder
  • Leiterplatten Steckverbinder & Gehäuse
  • Jumper
  • TE Connectivity
    • Nichicon UCY, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 47μF / 500V dc, Ø 16mm, bis 105°C

    Nichicon UCY, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 47μF / 500V dc, Ø 16mm, bis 105°C

    Nichicon UCY, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 47μF / 500V dc, Ø 16mm, bis 105°C, Kapazität: 47µF, Spannung: 500V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 16 (Dia.) x 31.

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  • Passive Bauelemente
  • Kondensatoren
  • Aluminium Elektrolytkondensatoren
  • Nichicon
    • Vishay E SIHP690N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 4 A, 6,4 A, 3-Pin TO-220AB

    Vishay E SIHP690N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 4 A, 6,4 A, 3-Pin TO-220AB

    : 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1.: 0,7 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Vishay
    • STMicroelectronics 2SD1047 THT, NPN Transistor 140 V / 20 A 20 MHz, TO 3-Pin

    STMicroelectronics 2SD1047 THT, NPN Transistor 140 V / 20 A 20 MHz, TO 3-Pin

    : 50, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 6 V, Abmessungen: 15.: 100 W, Gleichstromverstärkung min.

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  • Bipolare Transistoren
  • STMicroelectronics
    • Vishay E SIHP690N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 4 A, 6,4 A, 3-Pin TO-220AB

    Vishay E SIHP690N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 4 A, 6,4 A, 3-Pin TO-220AB

    Vishay E SIHP690N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 4 A, 6,4 A, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 0,7 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1.

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  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Vishay
    • STMicroelectronics 2SD1047 THT, NPN Transistor 140 V / 20 A 20 MHz, TO 3-Pin

    STMicroelectronics 2SD1047 THT, NPN Transistor 140 V / 20 A 20 MHz, TO 3-Pin

    : 100 W, Gleichstromverstärkung min.: 50, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.

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  • Bipolare Transistoren
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