Vishay SIRA99DP-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 195 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 2,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +16 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.1V
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Vishay SIRA99DP-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 195 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
Specifications of Vishay SIRA99DP-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 195 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8 | |
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