reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Stromversorgungen & Transformatoren
Netzteile
Schaltnetzteile
XP Power

XP Power Schaltnetzteil, AUS 9V Dc / 1.1A 10W, EIN 120 → 370 V Dc, 85 → 264 V Ac Offene Bauform,

About The 4mm, Tiefe: 18.XP Power Schaltnetzteil, AUS 9V dc / 1

XP Power Schaltnetzteil, AUS 9V dc / 1.1A 10W, EIN 120 → 370 V dc, 85 → 264 V ac Offene Bauform,, Ausgangsspannung: 9V dc, Montagetyp: PCB-Montage, Länge: 49.5mm, Breite: 25.4mm, Tiefe: 18.5mm, Wirkungsgrad: 78%, Temperatur max.: +70°C, Temperatur min.: -20°C, Gewicht: 26g, MPN: ECL10US09-P

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Stromversorgungen & Transformatoren > Netzteile > Schaltnetzteile

XP Power Schaltnetzteil, AUS 9V Dc / 1.1A 10W, EIN 120 → 370 V Dc, 85 → 264 V Ac Offene Bauform,

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Stromversorgungen & Transformatoren > Netzteile > Schaltnetzteile

Specifications of XP Power Schaltnetzteil, AUS 9V Dc / 1.1A 10W, EIN 120 → 370 V Dc, 85 → 264 V Ac Offene Bauform,

Category
Instockinstock

Last Updated

XP Power Schaltnetzteil, AUS 9V Dc / 1.1A 10W, EIN 120 → 370 V Dc, 85 → 264 V Ac Offene Bauform,
More Varieties
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Stromversorgungen & Transformatoren
Netzteile

Rating :- 9.09 /10
Votes :- 7
LDK 34.91mm Kohlenstoffstahl Gelenkkopf, Wellen-Ø 4.82mm, Traglast bis 2.8kN
  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Lager und Dichtungen
  • Drehlager- und Gehäuseeinheiten
  • Gelenkköpfe
  • LDK
    • Renesas Electronics Intersil, ICM7555CBAZ-T

    Renesas Electronics Intersil, ICM7555CBAZ-T

    : 1MHz, Serie: ICM7555, MPN: ICM7555CBAZ-T.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Frequenzsyntesizer und Funktionsgernerator ICs
  • Timer ICs
  • Renesas Electronics
    • Wurth Elektronik Quarzoszillator,SPXO, 50MHz, ±50ppm, HCMOS, SMT

    Wurth Elektronik Quarzoszillator,SPXO, 50MHz, ±50ppm, HCMOS, SMT

    Wurth Elektronik Quarzoszillator,SPXO, 50MHz, ±50ppm, HCMOS, SMT, MPN: LFSPXO019987Reel.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Quarze & Oszillatoren und Resonatoren
  • Quarz-Oszillatoren
  • Wurth Elektronik
    • XP Power Schaltnetzteil, AUS 15V dc / 670mA 10W, EIN 120 → 370 V dc, 85 → 264 V ac Offene Bauform,

    XP Power Schaltnetzteil, AUS 15V dc / 670mA 10W, EIN 120 → 370 V dc, 85 → 264 V ac Offene Bauform,

    : -20°C, Gewicht: 26g, MPN: ECL10US15-T.XP Power Schaltnetzteil, AUS 15V dc / 670mA 10W, EIN 120 → 370 V dc, 85 → 264 V ac Offene Bauform,, Ausgangsspannung: 15V dc, Montagetyp: Gehäusemontage, Länge: 65mm, Breite: 25.5mm, Wirkungsgrad: 80%, Temperatur max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Stromversorgungen & Transformatoren
  • Netzteile
  • Schaltnetzteile
  • XP Power
    • Texas Instruments Logikgatter, 4-Elem., AND, HCT, 4mA, 14-Pin, SOIC, 2, Montage-Typ: SMD, Schmitt-Trigger-Eingang: Nein, Arbeitsspannnung max.: 5.5 V, Ausgangsstrom H-Pegel max.: -4mA, Signalverzögerungszeit @ max.
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Logik ICs
  • Logikgatter
  • Texas Instruments
    • Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung 2,5 A 15V 20-Pin SOIC

    Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung 2,5 A 15V 20-Pin SOIC

    Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung 2,5 A 15V 20-Pin SOIC, Topologie: Isolierter Gattertreiber, Anzahl der Treiber: 4, MPN: HIP4081AIBZT.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Stromversorgung
  • Gate-Treiber
  • Renesas Electronics
    • ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 7μs, 880nm → 1120nm / 4500μA, 2-Pin 3mm

    ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 7μs, 880nm → 1120nm / 4500μA, 2-Pin 3mm

    1 (Dia.: 1 (≤ 50)nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: ±12 °, Montage Typ: Durchsteckmontage, Gehäusetyp: 3 mm (T-1), Abmessungen: 3.) x 5.2mm, Kollektorstrom: 15mA, Durchmesser: 3.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Displays und Optoelektronik
  • Optokoppler und Photodetektoren
  • Fototransistoren
  • ams OSRAM
    • XP Power Schaltnetzteil, AUS 9V dc / 1.1A 10W, EIN 120 → 370 V dc, 85 → 264 V ac Offene Bauform,

    XP Power Schaltnetzteil, AUS 9V dc / 1.1A 10W, EIN 120 → 370 V dc, 85 → 264 V ac Offene Bauform,

    XP Power Schaltnetzteil, AUS 9V dc / 1.: +70°C, Temperatur min.5mm, Breite: 25.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Stromversorgungen & Transformatoren
  • Netzteile
  • Schaltnetzteile
  • XP Power
    • ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 7μs, 880nm → 1120nm / 4500μA, 2-Pin 3mm

    ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 7μs, 880nm → 1120nm / 4500μA, 2-Pin 3mm

    : 4500µA, Dunkelstrom max.: 1 (≤ 50)nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: ±12 °, Montage Typ: Durchsteckmontage, Gehäusetyp: 3 mm (T-1), Abmessungen: 3.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Displays und Optoelektronik
  • Optokoppler und Photodetektoren
  • Fototransistoren
  • ams OSRAM
    • XP Power Schaltnetzteil, AUS 9V dc / 1.1A 10W, EIN 120 → 370 V dc, 85 → 264 V ac Offene Bauform,

    XP Power Schaltnetzteil, AUS 9V dc / 1.1A 10W, EIN 120 → 370 V dc, 85 → 264 V ac Offene Bauform,

    5mm, Breite: 25.: +70°C, Temperatur min.XP Power Schaltnetzteil, AUS 9V dc / 1.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Stromversorgungen & Transformatoren
  • Netzteile
  • Schaltnetzteile
  • XP Power