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Infineon CoolMOS P7 IPB65R190CFDAATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 57,2 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : 4.: 0,19 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon CoolMOS P7 IPB65R190CFDAATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 57,2 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,19 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V

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Infineon CoolMOS P7 IPB65R190CFDAATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 57,2 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of Infineon CoolMOS P7 IPB65R190CFDAATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 57,2 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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