Vishay Siliconix TrenchFET SQD40061EL_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Name: Vishay Siliconix TrenchFET SQD40061EL_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252): Vishay Siliconix
Brand: Vishay Siliconix
SKU: CAWX-768829
Price: 1670.40 EUR
Availability: InStock

About The : 1.: ±20 V, Länge: 6

Vishay Siliconix TrenchFET SQD40061EL_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Murata, 0201, 0.6 x 0.3 x 0.3mm

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Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET SQD40061EL_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Last Updated January 9th, 2024 10:07 pm

Vishay Siliconix TrenchFET SQD40061EL_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Vishay Siliconix TrenchFET SiS110DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 14,2 A 24 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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