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Yageo Résistance CMS 110Ω, Boitier 0402 (1005M) ±0.1% 0.0625W

About The 1% 0.Yageo Résistance CMS 110Ω, boitier 0402 (1005M) ±0

Yageo Résistance CMS 110Ω, boitier 0402 (1005M) ±0.1% 0.0625W, Technologie: Film couche mince, MPN: RT0402BRD07110RL

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Specifications of Yageo Résistance CMS 110Ω, Boitier 0402 (1005M) ±0.1% 0.0625W

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    Infineon MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 50 A 80 V, 3 broches

    Infineon MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 50 A 80 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0132 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Matériau du transistor: Silicium, Série: IPD, MPN: IPD50N08S413ATMA1.

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    1% 0.0625W, Technologie: Film couche mince, MPN: RT0402BRD0720KL.

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    Yageo Résistance CMS série RC 39kΩ, boitier 1206 (3216M) ±1% 0.25 W, Technologie: Film couche épaisse, MPN: RC1206FR-0739KL.5 W, 0.

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    0625W, Technologie: Film couche mince, MPN: RT0402BRD071K18L.Yageo Résistance CMS 1.

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    5 W, 0.25 W, Technologie: Film couche épaisse, MPN: RC1206FR-0733RL.

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