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Yageo

Yageo Résistance CMS Série RC 39kΩ, Boitier 1206 (3216M) ±1% 0.5 W, 0.25 W

About The 25 W, Technologie: Film couche épaisse, MPN: RC1206FR-0739KL.Yageo Résistance CMS série RC 39kΩ, boitier 1206 (3216M) ±1% 0

Yageo Résistance CMS série RC 39kΩ, boitier 1206 (3216M) ±1% 0.5 W, 0.25 W, Technologie: Film couche épaisse, MPN: RC1206FR-0739KL

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Yageo Résistance CMS Série RC 39kΩ, Boitier 1206 (3216M) ±1% 0.5 W, 0.25 W

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Specifications of Yageo Résistance CMS Série RC 39kΩ, Boitier 1206 (3216M) ±1% 0.5 W, 0.25 W

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Telemecanique Sensors Limit Switch Pre-Cabled Connection OsiSense XC

Telemecanique Sensors Limit Switch Pre-Cabled Connection OsiSense XC

Telemecanique Sensors Limit Switch Pre-Cabled Connection OsiSense XC, Produit Better World: Oui, Certification Better World: Green Premium, MPN: ZCMC37L5.

  • Automatisme Industriel & Contrôle de process & Electrique et Câbles
  • Interrupteurs
  • Capteurs de fin de course et de position
  • Connexions précâblées pour interrupteurs fin de course
  • Telemecanique Sensors
    • ABB Relais d'interface R600, 230V c.a.

    ABB Relais d'interface R600, 230V c.a.

    a., 1 RT, montage Rail DIN, Courant de charge: 8A, MPN: 064551320 ABB Relais d'interface R600, 230V c., 1 RT, montage Rail DIN. / V c.

  • Automatisme Industriel & Contrôle de process & Electrique et Câbles
  • Relais et convertisseurs de signaux
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  • ABB
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    Yageo Résistance CMS 39kΩ, boitier 0402 (1005M) ±0.1% 0.0625W

    1% 0.0625W, MPN: RT0402BRD0739KL.Yageo Résistance CMS 39kΩ, boitier 0402 (1005M) ±0.

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    • Infineon MOSFET canal P, DPAK (TO-252) 90 A 30 V, 3 broches

    Infineon MOSFET canal P, DPAK (TO-252) 90 A 30 V, 3 broches

    0V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, Série: IPD, MPN: IPD90P03P404ATMA2.Infineon MOSFET canal P, DPAK (TO-252) 90 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0045 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.

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    Yageo Résistance CMS 22kΩ, boitier 0402 (1005M) ±0.1% 0.0625W, Technologie: Film couche mince, MPN: RT0402BRD0722KL.

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    Infineon MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 50 A 80 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0132 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Matériau du transistor: Silicium, Série: IPD, MPN: IPD50N08S413ATMA1.

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    0625W, Technologie: Film couche mince, MPN: RT0402BRD0720KL.

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    25 W, Technologie: Film couche épaisse, MPN: RC1206FR-0739KL.Yageo Résistance CMS série RC 39kΩ, boitier 1206 (3216M) ±1% 0.

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