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Texas Instruments

Texas Instruments Gate Logico Quad XOR, 2 V → 6 V, 14 Pin, PDIP

About The 5 V, Dimensioni: 19.Texas Instruments Gate logico Quad XOR, 2 V → 6 V, 14 Pin, PDIP, Tipo di montaggio: Su foro, Ingresso trigger di Schmitt: No, Famiglia logica: HC, Corrente massima di uscita ad alto livello: -5

Texas Instruments Gate logico Quad XOR, 2 V → 6 V, 14 Pin, PDIP, Tipo di montaggio: Su foro, Ingresso trigger di Schmitt: No, Famiglia logica: HC, Corrente massima di uscita ad alto livello: -5.2mA, Ritardo di propagazione massimo @ CL max: 100 ns @ 2 V, 17 ns @ 6 V, 20 ns @ 4.5 V, Dimensioni: 19.3 x 6.35 x 4.57mm, MPN: SN74HC86N

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Texas Instruments Gate Logico Quad XOR, 2 V → 6 V, 14 Pin, PDIP

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Specifications of Texas Instruments Gate Logico Quad XOR, 2 V → 6 V, 14 Pin, PDIP

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Vishay Resistenza serie SFR25, 68Ω, 0.4W, ±5%

Vishay Resistenza serie SFR25, 68Ω, 0.4W, ±5%

4W, ±5%, Tecnologia: Film metallico, Package/Contenitore: 0207, Temperatura operativa massima: +155°C, Coefficiente di temperatura: ±100ppm/°C, Temperatura operativa minima: -55°C, MPN: SFR2500006809JA500.

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  • Vishay
    • Vishay Diodo Zener, 4.7V, Montaggio superficiale, 500 mW, SOD-123
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    • Vishay Diodo Zener, 10V, Montaggio superficiale, 500 mW, SOD-123

    Vishay Diodo Zener, 10V, Montaggio superficiale, 500 mW, SOD-123

    05mA, Massima corrente di perdita inversa: 1µA, Dimensioni: 2.7 x 1.35mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: MMSZ4697-E3-08.85 x 1.

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    • STMicroelectronics MOSFET, canale P, 19 mΩ, 60 A, PowerFLAT 5 x 6, Montaggio superficiale

    STMicroelectronics MOSFET, canale P, 19 mΩ, 60 A, PowerFLAT 5 x 6, Montaggio superficiale

    STMicroelectronics MOSFET, canale P, 19 mΩ, 60 A, PowerFLAT 5 x 6, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 100 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.

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    • STMicroelectronics MOSFET, canale P, 19 mΩ, 60 A, PowerFLAT 5 x 6, Montaggio superficiale

    STMicroelectronics MOSFET, canale P, 19 mΩ, 60 A, PowerFLAT 5 x 6, Montaggio superficiale

    35mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STL60P4LLF6.STMicroelectronics MOSFET, canale P, 19 mΩ, 60 A, PowerFLAT 5 x 6, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 100 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.

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