TE Connectivity Relay; 3 Form C, 3PDT, 3 C/O; 1.922 In. L X 1.469 In. W X 1.375 In. H; Socket

DiodesZetex Diodo Diodes Inc, Montaggio superficiale, 1A, 60V, SMAF, Raddrizzatore Schottky, Configurazione diodi: Singolo, Numero pin: 2, Caduta di tensione diretta massima: 650mV, Tecnologia del diodo: Barriera Schottky, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 30A, MPN: B160AF-13.

6V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Tensione diretta del diodo: 1.3V, MPN: DMN62D1LFB-7B.DiodesZetex MOSFET, canale N, 3 mΩ, 407 mA, X1-DFN1006, Montaggio superficiale, Corrente massima continuativa di drain: 325 mA (stato), 407 mA (fisso), Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Tensione di soglia gate minima: 0.

Renesas Electronics Microcontrollore, RL78, LSSOP, RL78/F13, 30 Pin, Montaggio superficiale, 16bit, 32MHz, MPN: R5F10BAGLSP#W5.

2V, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 1,13 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±12 V, Lunghezza: 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: DMN2058UW-7.DiodesZetex MOSFET, canale N, 91 mΩ, 4,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.

3m, Serie: SAC-4P- 3.

); 3 Form C, 3PDT, 3 C/O, MPN: KRPA-14AY-120.TE Connectivity Relay; 5 A; General; 2250 Ohms; Silver; 2 VA (Nom.

375 in. H; Socket, MPN: KRPA-14AN-24.

5mm, Durata: 7000h, Corrente di perdita: 4 μA, Corrente di ripple: 1.

W x 1. L x 1. TE Connectivity Relay; 3 Form C, 3PDT, 3 C/O; 1.375 in.

) x 25mm, Temperatura operativa minima: -55°C, Diametro: 12.