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Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 8 A, PG-SOT223-3

About The Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 8 A, PG-SOT223-3, Tensione massima gate emitter: 20V, Dissipazione di potenza massima: 7,2 W, Numero di transistor: 1, MPN: IKN06N60RC2ATMA1

Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 8 A, PG-SOT223-3, Tensione massima gate emitter: 20V, Dissipazione di potenza massima: 7,2 W, Numero di transistor: 1, MPN: IKN06N60RC2ATMA1

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Specifications of Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 8 A, PG-SOT223-3

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Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 8 A, PG-SOT223-3
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Allen Bradley Guardmaster Interruttore di interblocco di sicurezza 440K, 2NC/1NA, A chiave, IP66, 500V, 2,2A
  • Cavi & Elettricità e Automazione
  • Interruttori e Pulsanti
  • Interruttori di interblocco di sicurezza e componenti
  • Interruttori di interblocco di sicurezza
  • Allen Bradley Guardmaster
    • C & K Interruttore a slitta DPDT (On)-(On) Montaggio superficiale

    C & K Interruttore a slitta DPDT (On)-(On) Montaggio superficiale

    C & K Interruttore a slitta DPDT (On)-(On) Montaggio superficiale, MPN: JS202011JCQN.

  • Cavi & Elettricità e Automazione
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  • Interruttori a levetta e a slitta
  • Interruttori a slitta
  • C & K
    • TE Connectivity Resistenza SMD Rilevamento della corrente, 9mΩ, 2512 (6432M), ±1%, 3W

    TE Connectivity Resistenza SMD Rilevamento della corrente, 9mΩ, 2512 (6432M), ±1%, 3W

    TE Connectivity Resistenza SMD Rilevamento della corrente, 9mΩ, 2512 (6432M), ±1%, 3W, MPN: 5-2176422-3.

  • Componenti Elettronici e Connettori
  • Passivi
  • Resistori
  • Resistenze SMD
  • TE Connectivity
    • TE Connectivity Resistenza SMD Rilevamento della corrente, 12mΩ, 2512 (6432M), ±1%, 3W

    TE Connectivity Resistenza SMD Rilevamento della corrente, 12mΩ, 2512 (6432M), ±1%, 3W

    TE Connectivity Resistenza SMD Rilevamento della corrente, 12mΩ, 2512 (6432M), ±1%, 3W, MPN: 5-2176422-5.

  • Componenti Elettronici e Connettori
  • Passivi
  • Resistori
  • Resistenze SMD
  • TE Connectivity
    • Wurth Elektronik Induttore a filo avvolto SMD Wurth 3,9 nH, ±0.1nH, Icc 340mA, 0402 (1005M), Lunghezza: 1mm, Profondità: 0.5mm, Altezza: 0.32mm, Dimensioni: 1 x 0.5 x 0.32mm, Schermato: Sì, Resistenza in c.c.

    Wurth Elektronik Induttore a filo avvolto SMD Wurth 3,9 nH, ±0.1nH, Icc 340mA, 0402 (1005M), Lunghezza: 1mm, Profondità: 0.5mm, Altezza: 0.32mm, Dimensioni: 1 x 0.5 x 0.32mm, Schermato: Sì, Resistenza in c.c.

    1nH, Icc 340mA, 0402 (1005M).massima: 500mΩ, Serie: WE-TCI, Materiale base: Film sottile, Frequenza di risonanza massima: 6GHz, Temperatura operativa massima: +125°C, MPN: 744901039 Wurth Elektronik Induttore a filo avvolto SMD Wurth 3,9 nH, ±0.

  • Componenti Elettronici e Connettori
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  • Induttori
  • Induttori SMD
  • Wurth Elektronik
    • Bticino Piastra di montaggio e frontalino in Plastica, 2 moduli, col.

    Bticino Piastra di montaggio e frontalino in Plastica, 2 moduli, col.

    Grigio.Grigio, Tipo di montaggio: Montaggio a filo, MPN: LNA4802AR Bticino Piastra di montaggio e frontalino in Plastica, 2 moduli, col.

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  • Contenitori e Rack
  • Contenitori e scatole
  • Placche interruttori e piastre di montaggio
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    • Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 8 A, PG-SOT223-3

    Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 8 A, PG-SOT223-3

    Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 8 A, PG-SOT223-3, Tensione massima gate emitter: 20V, Dissipazione di potenza massima: 7,2 W, Numero di transistor: 1, MPN: IKN06N60RC2ATMA1.

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    • Bourns Induttore a filo avvolto SMD 3,3 μH, ±20%, Icc 2.15A, SMD, Package/Contenitore: 0403, Lunghezza: 4.5mm, Profondità: 4mm, Altezza: 3.2mm, Dimensioni: 4.5 x 4 x 3.2mm, Schermato: No, Resistenza in c.c.

    Bourns Induttore a filo avvolto SMD 3,3 μH, ±20%, Icc 2.15A, SMD, Package/Contenitore: 0403, Lunghezza: 4.5mm, Profondità: 4mm, Altezza: 3.2mm, Dimensioni: 4.5 x 4 x 3.2mm, Schermato: No, Resistenza in c.c.

    15A, SMD.massima: 58mΩ, Serie: SDR0403, Materiale base: DR in ferrite, Frequenza di risonanza massima: 65MHz, Struttura dell'induttore: Nucleo in ferrite, MPN: SDR0403-3R3ML Bourns Induttore a filo avvolto SMD 3,3 μH, ±20%, Icc 2.

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  • Induttori SMD
  • Bourns
    • Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 8 A, PG-SOT223-3

    Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 8 A, PG-SOT223-3

    Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 8 A, PG-SOT223-3, Tensione massima gate emitter: 20V, Dissipazione di potenza massima: 7,2 W, Numero di transistor: 1, MPN: IKN06N60RC2ATMA1.

  • Componenti Elettronici e Connettori
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  • Infineon
    • Bourns Induttore a filo avvolto SMD 3,3 μH, ±20%, Icc 2.15A, SMD, Package/Contenitore: 0403, Lunghezza: 4.5mm, Profondità: 4mm, Altezza: 3.2mm, Dimensioni: 4.5 x 4 x 3.2mm, Schermato: No, Resistenza in c.c.

    Bourns Induttore a filo avvolto SMD 3,3 μH, ±20%, Icc 2.15A, SMD, Package/Contenitore: 0403, Lunghezza: 4.5mm, Profondità: 4mm, Altezza: 3.2mm, Dimensioni: 4.5 x 4 x 3.2mm, Schermato: No, Resistenza in c.c.

    15A, SMD.massima: 58mΩ, Serie: SDR0403, Materiale base: DR in ferrite, Frequenza di risonanza massima: 65MHz, Struttura dell'induttore: Nucleo in ferrite, MPN: SDR0403-3R3ML Bourns Induttore a filo avvolto SMD 3,3 μH, ±20%, Icc 2.

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