Toshiba MOSFET, canale N, 8,4 mΩ, 46 A, TO-220SIS, Su foro
Toshiba MOSFET, canale N, 8,4 mΩ, 46 A, TO-220SIS, Su foro, Tensione massima drain source: 80 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 35 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK46A08N1,S4X(S.