IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 165 A, canale N, SOT-227B, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 690 W, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Numero pin: 4, Velocità di switching: 5 → 30kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 38.2 x 25 x 9.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXYN100N120B3H1
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IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 165 A, Canale N, SOT-227B
Specifications of IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 165 A, Canale N, SOT-227B | |
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