IXYS MOSFET, canale N, 460 mΩ, 26 A, TO-264, Su foro
96mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFK26N120P.IXYS MOSFET, canale N, 460 mΩ, 26 A, TO-264, Su foro, Tensione massima drain source: 1200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 960 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 19.