STMicroelectronics MOSFET, canale N, 8,5 Ω, 400 mA, SOT-223, Montaggio superficiale
5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STN1HNK60.7V, Tensione di soglia gate minima: 2.STMicroelectronics MOSFET, canale N, 8,5 Ω, 400 mA, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.25V, Dissipazione di potenza massima: 3,3 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 6.